High-κ dielectric

由于二氧化硅(SiO2)具有易制性 (Manufacturability),且能减少厚度以持续改善晶体管效能,因此过去40余年来,处理器厂商均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。
当英特尔导入65纳米制造工艺时,虽已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1.2纳米,相当于5层原子,但由于晶体管缩至原[……]

Read more